111年:物治技術(2)
關於單點(single-diode)探頭的低能雷射用於促進傷口癒合,下列敘述何者錯誤?
A可使用直接接觸或非接觸技術
B在傷口上以每平方公分 1焦耳的能量為起始劑量
C點與點之間的距離需大於 3 公分
D照射點距離傷口邊緣外 1至 2 公分
詳細解析
本題觀念:
本題考查低能量雷射治療(Low-Level Laser Therapy, LLLT)在傷口癒合(Wound Healing)的臨床操作參數與技術。特別是針對單點探頭(Single-diode probe)的操作細節,包括施作技術(接觸/非接觸)、劑量設定(Dosage)、治療區域(Treatment area)以及柵狀技術(Grid technique)的點間距。
選項分析
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A. 可使用直接接觸或非接觸技術:正確。
- 接觸技術 (Contact technique):通常用於傷口周圍的健康皮膚(periwound)或已癒合的傷口,能減少反射,增加光穿透深度。
- 非接觸技術 (Non-contact technique):對於開放性傷口(Open wounds),為避免感染或觸痛,探頭會懸空於傷口上方(通常距離數毫米至 1 公分),或使用透明無菌薄膜覆蓋後再接觸。單點探頭可依部位靈活選擇這兩種方式。
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B. 在傷口上以每平方公分 1 焦耳的能量為起始劑量:正確。
- 根據 Arndt-Schultz 法則,低能量雷射具有雙相劑量反應(Biphasic dose response)。對於開放性傷口,過高的劑量反而會抑制癒合。
- 一般建議傷
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