磁振造影系統中,主磁場線圈的兩端會安裝消抵線圈(bucking coil ),目的為下列何者?
詳細解析
本題觀念:
本題測驗的是磁振造影(MRI)硬體設計中「磁場屏蔽(Magnetic Shielding)」的概念。MRI 系統的主磁場線圈會產生極強的靜磁場(),這個磁場不可避免地會向磁體外部空間延伸,形成所謂的「雜散磁場(fringe field)」。為了避免雜散磁場對周遭環境與儀器造成危害,MRI 必須具備屏蔽機制。現代高場域超導 MRI 系統多採用「主動屏蔽(Active Shielding)」,也就是在主磁場線圈兩端安裝「消抵線圈(bucking coils)」來將雜散磁場限制在安全範圍內。
選項分析
- (A) 減少磁化率假影(Reduce susceptibility artifacts):錯誤。磁化率假影是由於不同組織之間(例如骨骼與空氣、組織與金屬植入物)的磁化率差異,導致局部磁場不均勻所引起。減少此假影的硬體方法為「勻場(shimming)」,透過勻場線圈(shim coils)或鐵片來改善磁場均勻度;或者在參數上改用自旋回訊(Spin Echo)序列、增加接收頻寬等方式,與消抵線圈無關。
- (B) 避免外在射頻波干擾(Avoid external radiofrequency interference):錯誤。避免外界射頻波(RF)干擾 MRI 訊號,或避免 MRI 射頻波干擾外界通訊,是依靠「射頻屏蔽(RF Shielding)」。其方法是在 MRI 檢查室的牆壁、門窗內部鋪設銅網或鋁網,形成「法拉第籠(Faraday cage)」來阻擋電磁波,而非使用消抵線圈。
- (C) 減少雜散磁場(Reduce fringe field):正確。主磁場線圈兩端外側安裝的消抵線圈(bucking coils),其內部通有與主線圈方向相反的電流。根據電磁學原理,這會產生一個與主磁場方向相反的磁場。在磁體外部,這兩個磁場會相互抵消,大幅減少向外擴散的雜散磁場。
- (D) 減少病人熱效應(Reduce patient thermal effects):錯誤。病人在檢查過程中所受的熱效應主要來自射頻脈衝(RF pulse)的能量沉積,臨床上以「比吸收率(Specific Absorption Rate, SAR)」來衡量。減少熱效應的方法包括改變脈衝序列參數(例如:減少翻轉角 flip angle、拉長重複時間 TR、減少切面數量等),與主磁場的消抵線圈設計無關。
答案解析
MRI 儀器產生的強大靜磁場若向外擴散,會影響心律調節器等醫療設備的運作,甚至將鐵磁性物品吸入磁體造成危險(即飛彈效應)。為控制磁場影響範圍(特別是 5 高斯線,5-Gauss line),廠商設計了主動屏蔽技術。此技術運用了安裝於主線圈外圍及兩端的消抵線圈(bucking coils)。由於消抵線圈內的電流方向與主線圈相反,它能在磁體外部產生反向磁場,將主磁場向外輻射的雜散磁場中和抵消。這個設計不會破壞磁體內部造影區域的磁場均勻度,但能有效把雜散磁場縮限在掃描室內。因此,(C) 為本題的標準答案。
核心知識點
準備國考時,對於 MRI 硬體各線圈的功能與對應解決的物理問題必須徹底釐清:
- 主動屏蔽(Active Shielding):使用 消抵線圈(Bucking coils),通反向電流,用於減少 雜散磁場(Fringe field)。
- 被動屏蔽(Passive Shielding):使用大量鐵磁性物質(如鋼板、軟鐵)包覆在磁體或檢查室牆壁上,同樣用於減少雜散磁場,但缺點是重量極重。
- 勻場(Shimming):分為主動與被動。主動勻場使用 勻場線圈(Shim coils),用於提高主磁場的均勻度(Homogeneity),減少幾何失真與磁化率假影。
- 射頻屏蔽(RF Shielding):使用銅網建構 法拉第籠(Faraday cage),用於阻絕 外界射頻雜訊干擾(RF interference)。
臨床重要性
雜散磁場的管理在臨床 MRI 安全規範中位居首位。國際上將「5 高斯(0.5 mT)」定義為安全界線,超過 5 高斯的磁場區域可能導致心律調節器、神經刺激器等植入式電子儀器發生故障。藉由 bucking coils 的主動屏蔽,現代高場域(如 1.5T 或 3T)MRI 能將 5-Gauss line 完美收攏在射頻隔離室的牆壁範圍之內,讓操作人員與一般公眾在檢查室外能安全活動,同時也大幅降低了醫院在安裝 MRI 設備時對空間與建築結構加強的需求。
參考資料
- Radiology Learners. (n.d.). Magnet Shielding in MRI.
- US Patent US20130009642A1: MRI magnet and MRI system with optimized fringe fields.