磁振造影中有關主動磁屏蔽的敘述，下列何者正確？

本題觀念：

本題探討磁振造影（MRI）硬體設計中的「主動磁屏蔽（Active magnetic shielding）」原理與臨床目的。MRI 在產生強大主磁場（B0）的同時，磁力線會不可避免地向外延伸至掃描儀外部，形成「雜散磁場」或「邊緣磁場」（fringe field / stray field）。若雜散磁場範圍過大，會干擾周遭的醫療儀器（如心律調節器）並具潛在危險。為了將雜散磁場（特別是 5 Gauss line）侷限在較小的空間內，現代超導 MRI 系統皆會配備磁屏蔽設計，其中最核心的技術即為主動磁屏蔽。

選項分析

• (A) 產生與主磁場方向相反的磁場以減少雜散磁場效應：正確。主動磁屏蔽的設計是在主磁場線圈的外圍，額外配置一組「電流方向相反」的超導線圈。這組線圈會產生與主磁場方向相反的磁場，藉由磁場相消的原理，大幅削減向外延伸的磁力線，從而減少雜散磁場效應。
• (B) 產生與主磁場方向相同的磁場以增加訊雜比：錯誤。主動磁屏蔽是產生「相反」方向的磁場。此外，提升訊雜比（SNR）的方法包含提高主磁場強度、使用局部接收線圈（local coils）或調整造影參數（如增加 NSA、增加 FOV），與主動磁屏蔽無關。
• (C) 產生與主磁場方向相反的磁場以減少熱效應：錯誤。雖然產生的磁場方向相反，但其目的是侷限空間

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