在相同的電壓之下，何種攝影條件得到的影像光密度最小？

本題觀念：

本題探討放射攝影中影像光密度（Optical Density, OD）與攝影條件的關係。影像光密度代表底片或影像接收器（Image Receptor, IR）變黑的程度，主要取決於到達接收器的 X 光射線總量（輻射暴露量）。在相同的千伏電壓（kVp）條件下，影像光密度受到兩個核心參數影響：

1. 毫安培秒（mAs）：為控制影像光密度的主要因子。產生的 X 光光子總數與 mAs 成正比。
2. 射源到影像接收器距離（Source-to-Image Receptor Distance, SID）：輻射強度與距離的平方成反比，此即為距離平方反比定律（Inverse Square Law）。

因此，到達影像接收器的相對暴露量（即影響光密度的指標）可簡化表示為正比於 $\frac{mAs}{SID^2}$。

選項分析

我們可透過公式計算各選項的相對暴露量（$\frac{mAs}{SID^2}$）來比較影像光密度的大小：

• A選項 (20 mAs, SID 100 cm)：相對暴露量 $= \frac{20}{100^2} = \frac{20}{10000} = 0.002$。為四個選項中暴露量最高、影像光密度最大者。
• B選項 (10 mAs, SID 100 cm)：相對暴露量 $= \frac{10}{100

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