設計高能電子加速器設施的輻射屏蔽時，下列敘述何者錯誤？

本題觀念：

本題考查高能電子加速器（如醫療用直線加速器，Linear Accelerator, Linac）的輻射屏蔽設計原則。高能電子加速器（特別是能量大於 10 MeV 時）的輻射防護不僅要考慮主要射束（X射線或電子束）與滲漏輻射，還必須處理因高能射線與物質作用而產生的「二次中子（Secondary neutrons）」及隨之而來的「物質活化（Material activation）」問題。相關設計規範主要參考 NCRP 151 報告。

選項分析

• (A) 避免原始電子射束撞擊屏蔽牆：正確。當高能原始電子射束直接撞擊屏蔽牆（通常為混凝土或高原子序物質）時，會經由游離與輻射碰撞產生強烈且具高穿透力的制動輻射（Bremsstrahlung X-rays），甚至引發光核反應產生中子。這會大幅增加屏蔽牆的厚度需求與設計難度。實務上會使用獨立的射束阻擋器（Beam dump）或靶材來吸收原始電子，避免其直擊屏蔽結構。
• (B) 電子加速器沒有物質活化的問題：錯誤。當電子加速器的運作能量超過特定閾值（通常為 8~10 MeV）時，高能光子會與機頭內的高原子序金屬（如靶材、準直儀、平整濾波器）或屏蔽牆發生「光核反應（Photonuclear reaction, (γ,n)）」，釋放出二次中子。這些中子進一步與機房內的空氣、機組零件及屏蔽牆等物質發生中子捕

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