電子射束在軟組織與鉛之介面時，所產生之回散射劑量隨電子能量之增加而：

本題觀念：

本題考查的是在電子射束治療（Electron Beam Therapy）中，使用內部屏蔽（Internal Shielding）時產生的**電子回散射（Electron Backscatter）**現象。 在治療表淺腫瘤（如嘴唇、口腔黏膜、眼瞼等）時，為了保護後方的正常組織，通常會在腫瘤後方（軟組織中）放置高原子序（High-Z）的屏蔽物（臨床上最常見為鉛，Lead）。當電子撞擊高原子序的鉛時，會發生多次彈性庫侖散射（Elastic Coulomb scattering），導致部分電子向反方向（射源方向）散射，這就是所謂的回散射。回散射會造成軟組織與鉛介面處的劑量大幅增加（Dose enhancement）。 臨床上以「電子回散射因數（Electron Backscatter Factor, EBF）」來量化此效應，定義為：在介面處有屏蔽物時的劑量，與沒有屏蔽物（均質軟組織）時的劑量之比值。

選項分析

• (A) 增加：錯誤。隨著電子能量的增加，電子的穿透力變強，發生大角度回散射的機率反而會降低。因此回散射劑量並不會隨能量增加而增加。
• (B) 減少：正確。根據 Klevenhagen 的經驗公式，電子回散射因數（EBF）與介面處平均電子能量 ($E_z$) 的關係可表示為： $EBF = 1 + 0.735 \times \ex

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