臨床電子射束通過物質密度變化大的區域時（如擋塊邊緣）常造成劑量冷熱區，下列敘述何者正確？

本題觀念：

臨床上使用電子射束（Electron beam）進行放射治療時，若射束通過不同密度或不同原子序（Z）物質的交界處（例如：合金擋塊邊緣、骨骼與軟組織交界處、或是體表高低起伏處），會破壞電子的側向平衡（lateral electron equilibrium），進而產生顯著的劑量擾動現象。這種擾動主要源自於電子的側向散射（lateral scattering）。

選項分析：

• (A) 在高密度物質下方形成劑量熱區：錯誤。高密度（高原子序）物質具有較大的質量散射能（mass scattering power）。在交界處，電子會傾向從高密度區強烈向低密度區發生側向散射。因此，在高密度物質（如擋塊邊緣內側）的下方，因為電子向外流失，會形成劑量冷區（Cold spot）。
• (B) 在低密度物質下方形成劑量冷區：錯誤。承上所述，低密度物質（如周圍未遮蔽的軟組織）在交界處會接收大量從高密度區（擋塊）散射過來的額外電子，因此在低密度物質邊緣的下方，反而會形成劑量熱區（Hot spot）。
• (C) 主要由電子散射擾動造成：正確。電子帶有電荷，在介質中行進時會與原子核發生庫侖交互作用而產生多重散射。由於不同密度介質的散射能力不同，在邊緣交界處造成的「電子散射擾動」與側向電子平衡破壞，正是形成局部冷熱區的最主要原因。
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