下列何者不能在室溫下操作，必須以液態氮冷卻？

本題觀念：

本題探討的是「輻射偵檢器的操作環境與物理特性」。在游離輻射的量測中，不同的偵檢器材質與設計決定了其工作條件。半導體偵檢器（Semiconductor detectors）利用輻射在半導體內產生電子-電洞對（Electron-hole pairs）來記錄訊號。然而，半導體材料的「能隙（Bandgap）」大小會直接影響其在室溫下的雜訊表現。若能隙過小，室溫下的熱能就足以激發電子越過能隙，產生巨大的漏電流（暗電流），進而掩蓋輻射訊號。因此，部分半導體偵檢器必須在極低溫下操作。

選項分析

• (A) 二極體偵檢器 (Diode detector)：錯誤。臨床常見的為矽二極體（Silicon diode）。矽的能隙較大（約 1.12 eV），在室溫下的熱激發漏電流相對較小，因此可於室溫下直接操作，廣泛應用於放射治療的活體內劑量量測（In vivo dosimetry）與光束分析。
• (B) 閃爍偵檢器 (Scintillation detector)：錯誤。例如無機閃爍晶體 NaI(Tl) 或 BGO，其原理是輻射與晶體作用產生可見光，再由光電倍增管（PMT）或光電二極體將光轉換為電子訊號並放大。閃爍偵檢器完全可以在室溫下正常運作，是核子醫學造影（如 Gamma camera, PET）最常用的偵檢器。
• **(C) 蓋革計數器 (Geige

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