112年:放射基礎(1)
下列何者與神經細胞動作電位的絕對不反應期(absolute refractory period)最相關?
A電壓控制型(voltage-gated)鈣離子通道不活化
B配體控制型(ligand-gated)氯離子通道不活化
C電壓控制型(voltage-gated)鈉離子通道不活化
D配體控制型(ligand-gated)鎂離子通道不活化
詳細解析
本題觀念:
本題探討的核心觀念是神經細胞的**動作電位(Action Potential)及其不反應期(Refractory Period)**的生理機制。不反應期是神經細胞在產生一次動作電位後,對下一個刺激反應能力降低或完全無法反應的時期,主要可分為「絕對不反應期(Absolute Refractory Period)」與「相對不反應期(Relative Refractory Period)」。這項特性決定了神經傳導的最大頻率,並且確保了動作電位在神經軸突上只能進行單向傳導。
選項分析
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(A) 電壓控制型(voltage-gated)鈣離子通道不活化: 在神經細胞中,電壓控制型鈣離子通道主要分布於軸突末梢(axon terminal),負責在動作電位抵達時促使鈣離子內流,進而引發神經傳導物質的釋放。雖然在「心肌細胞」的動作電位中,L型鈣離子通道的開啟參與了平原期(plateau phase)並延長了心肌的絕對不反應期,但這並非「神經細胞」絕對不反應期的主要機制。故選項 (A) 錯誤。
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(B) 配體控制型(ligand-gated)氯離子通道不活化: 配體控制型氯離子通道(例如 GABA_A 或 Glycine 受體)主要存在於突觸後膜,與抑制性突觸後電位(IPSP)的產生有關。當其開啟時會使氯離子進入細胞造成過極化,降低
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