關於半導體偵檢器（ semiconductor detector

本題觀念：

半導體偵檢器（Semiconductor detector）常利用 p-n 接面（p-n junction）二極體的原理來偵測游離輻射。將 n 型與 p 型半導體接合後，交界處會形成缺乏自由載子的「空乏區」（depletion region），此區域即為輻射偵測的靈敏區。當游離輻射進入空乏區時，會將能量轉移給半導體原子，產生「電子-電洞對」（electron-hole pairs）。配合適當的外加電場將這些電荷收集起來，即可轉換為可測量的電訊號。

選項分析

• (A) 採用順向偏壓可以增大空乏區（ depletion region）：錯誤。半導體偵檢器在運作時，必須施加「逆向偏壓」（reverse bias）來增大空乏區的寬度與體積，這能增加輻射的作用機率並有效降低漏電流（leakage current）。若施加順向偏壓（forward bias），空乏區會變窄甚至消失，且會產生極大的導通電流，使雜訊過高而無法用於輻射偵測。
• (B) 硼可作為 p型半導體的受體（ acceptor）：正確。矽（Si）或鍺（Ge）為四價（Group 14）元素。若摻雜三價（Group 13）元素如硼（Boron），因其價電子比矽少一個，會形成電洞（hole）以接受電子，故稱為受體（acceptor），進而形成 p 型半導體。
• **(C) 磷可作為

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