111年:醫物幅安(1)
關於細胞週期及輻射敏感度的差異,下列敘述何者正確?
AS期被認為較具輻射抗性,是因為非同源末端連結修復較為顯著
BS期被認為較具輻射抗性,是因為同源重組修復較為顯著
CS期被認為較具輻射敏感,是因為非同源末端連結修復較為顯著
DS期被認為較具輻射敏感,是因為同源重組修復較為顯著
詳細解析
本題觀念:
本題探討的是「細胞週期(Cell cycle)」與「輻射敏感度(Radiosensitivity)」之間的關係,以及不同階段細胞依賴的 DNA 雙股斷裂修復(DNA double-strand break repair)機制的差異。
在放射生物學中,細胞對游離輻射的敏感度會隨著細胞週期的不同階段而有顯著變化:
- 有絲分裂期(M phase)與 G2 期:對輻射最敏感。
- G1 期:敏感度居中(在某些細胞中,早 G1 具抗性而晚 G1 敏感)。
- 合成期(S phase):對輻射最不敏感(即最具輻射抗性,Radioresistant),特別是在晚期 S 期(Late S phase)。
游離輻射造成細胞致死的主要原因是「DNA 雙股斷裂(DSB)」。細胞修復 DSB 的主要機制分為兩種:
- 非同源末端連結修復(Non-homologous end joining, NHEJ):容易發生錯誤(Error-prone),主要在 G1 期運作。
- 同源重組修復(Homologous recombination, HR):較為精準無誤(Error-free),因為需要「姊妹染色分體(Sister chromatid)」作為修復模板,所以主要在 S 期與 G2 期運作。
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