關於足跟效應（ heel effect ），下列敘述何者錯誤？

本題觀念：

本題探討 X 光機中常見的足跟效應（Anode Heel Effect）。 足跟效應是指 X 光管所射出的 X 光束，在平行於陰陽極軸向上的輻射強度分佈不均的現象。由於 X 光管的陽極靶面具有傾斜角度，當高能電子撞擊靶材內部產生 X 光時，朝向「陽極端」射出的 X 光必須穿透較厚的靶材（鎢靶），導致部分 X 光被靶材自身吸收（自我吸收效應，Self-absorption）。因此，X 光束在「陰極端」的強度會大於「陽極端」。

選項分析

• (A) 靠近陰極端輸出 X 光強度較強：正確。如前述觀念，朝向陽極端的 X 光因需穿過較多靶材而衰減較多；朝向陰極端的 X 光穿透的靶材較薄，衰減較少。因此，陰極端的 X 光輸出強度較強。
• (B) 減少射源與影像接收器距離 SID 會減少足跟效應：錯誤。當射源與影像接收器距離（Source-to-Image Distance, SID）「減少（縮短）」時，為涵蓋相同的影像接收器面積，系統必須利用 X 光束周邊發散角度較大（強度差異最為劇烈）的邊緣射線。這反而會使影像上的足跟效應變大、更明顯。若要減少足跟效應對影像的影響，應當「增加（拉長）」SID。
• (C) 小焦斑足跟效應較明顯：正確。在 X 光管設計中，為了獲得較小的「有效焦斑（Effective focal spot）」以提升

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