半導體輻射偵檢器偵測輻射的原理，是利用輻射照射到半導體中產生電子電洞對，進而產生電流的量測方式。其產生一個電子電洞對所需的能量約為若干？

本題觀念：

半導體輻射偵檢器（semiconductor radiation detector）的工作原理是利用游離輻射在半導體材料中產生電子電洞對（electron-hole pair），並收集這些載子所產生的電流來測量輻射能量。關鍵參數之一是「產生一對電子電洞所需的平均能量（mean ionization energy, ε）」。

選項分析

(A) 30 keV 30 keV = 30,000 eV，遠超過半導體的實際值。這個能量尺度接近低能量 X 光光子的能量，而非電子電洞對的產生能量，錯誤。

(B) 300 keV 300 keV 更是遠高於實際值，這已進入中能 gamma 射線的能量範圍，不可能是產生一個電子電洞對所需的能量，錯誤。

(C) 3 eV 此答案最接近正確值。矽（Si）產生一個電子電洞對所需的平均能量約為 3.62 eV（室溫），鍺（Ge）約為 2.95 eV（低溫）。「約 3 eV」是本題的最佳近似值，正確。

(D) 30 eV 30 eV 是氣體偵檢器（如游離腔、蓋格計數器）中產生一對電子-離子所需的典型能量（15–30 eV），不是半導體的值，錯誤。

答案解析

半導體偵檢器的最大優勢，正是它相較於氣體偵檢器低得多的游離能量：

| 偵檢器類型 | 材料 | 產生一對載子所需

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