109年:物治基礎(2)
動作電位( action potential )產生與傳導過程之特徵,下列何者錯誤?
A產生動作電位前,膜電位需達到閾值( threshold )
B動作電位產生遵守全或無定律( all-or-none principle )
C具有髓鞘包覆之軸突其動作電位傳導是以跳耀方式進行
D半徑大無髓鞘包覆之軸突其動作電位傳導速度慢於半徑小無髓鞘包覆之軸突
詳細解析
本題觀念:
動作電位(action potential)的產生與傳導特性,包括閾值、全或無定律(all-or-none principle)、有髓鞘神經的跳躍式傳導(saltatory conduction),以及軸突半徑與傳導速度的關係。本題為反向題,問「何者錯誤」。
選項分析
(A) 產生動作電位前,膜電位需達到閾值(threshold) ✅ 正確陳述。動作電位只有在膜電位去極化達到閾值(threshold,通常約 -55 mV)後才會引發。低於閾值的刺激不會引發動作電位。
(B) 動作電位產生遵守全或無定律(all-or-none principle) ✅ 正確陳述。全或無定律指動作電位的幅度固定,只要達到閾值就會產生完整幅度的動作電位,刺激強度不影響動作電位的大小。
(C) 具有髓鞘包覆之軸突其動作電位傳導是以跳躍方式進行 ✅ 正確陳述。有髓鞘神經的動作電位在 Ranvier 節(nodes of Ranvier)之間「跳躍」傳導,稱為跳躍式傳導(saltatory conduction),大幅提升傳導速度並節省能量。
(D) 半徑大無髓鞘包覆之軸突其動作電位傳導速度慢於半徑小無髓鞘包覆之軸突 ❌ 錯誤陳述(本題答案)。在無髓鞘軸突中,軸突直徑越大,傳導速度越快,而非越慢。直徑越大的軸突內阻越
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