有關電子污染的敘述，下列何者正確？

本題觀念：

高能光子射束（X 光）中的電子污染（electron contamination）來源及其對劑量分布的影響，特別是對最大劑量深度（$d_{max}$）的作用，以及電子污染與照野大小、SSD 之間的關係。

選項分析

(A) 與 SSD 無關 錯誤。電子污染的程度確實與 SSD 有關。隨著 SSD 增加，帶電粒子在空氣中會因電子阻止本領而損失能量，同時光子與空氣的交互作用也會改變污染電子的數量。不同 SSD 下，污染電子的通量和能量均有差異。

(B) 隨照野的增加而下降 錯誤。事實上電子污染隨照野增大而增加。照野越大，來自準直器、光子射束在空氣中交互作用的污染電子數量越多，因而在表面及建成區的劑量貢獻越大。

(C) 會影響最大劑量深度 正確。電子污染主要在建成區（build-up region）貢獻劑量。污染電子（低能量，射程短）在靠近表面處沉積較多能量，使建成區的劑量曲線形狀改變，導致觀測到的 $d_{max}$ 往淺層移動（shift toward surface）。大照野時此效應更為顯著，35×35 cm² 照野的 $d_{max}$ 比 5×5 cm² 照野更靠近表面，即 $d_{max}$ 的位置受到電子污染的影響。

(D) 劑量歸一化的參考深度必須等於電子污染的射程 錯誤。劑量歸一化的參考

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