下列有關 B細胞的敘述，何者錯誤？

本題觀念：

本題為反向題（問「何者錯誤」），考查 B 細胞膜上 IgM 與 IgD 共表現的分子機制，以及記憶性 B 細胞(memory B cell)的表面免疫球蛋白特性。需要了解：(1) mIgM 和 mIgD 共用相同輕鏈與 VH 區的機制；(2) 記憶性 B 細胞可表現多種同型（IgG、IgA、IgE 等），而非僅限 IgM。

選項分析

(A) 個別 B 細胞之胞膜型（membrane bound）IgM 及 IgD 有相同的輕鏈，但重鏈不同 ✅ 正確陳述（非答案）。 mIgM 與 mIgD 透過 alternative splicing 共用相同的 VDJ 重組基因，因此擁有完全相同的輕鏈（包含 VL）。但其重鏈常數區分別為 Cµ（IgM）和 Cδ（IgD），故重鏈不同。此陳述正確。

(B) 個別 B 細胞之胞膜型 IgM 及 IgD 有相同的 VH 區 ✅ 正確陳述（非答案）。 mIgM 和 mIgD 皆由同一條 VDJ 重組後的 pre-mRNA 轉錄，再透過 alternative polyadenylation 和 splicing 分別連接 Cµ 或 Cδ。因此，兩種受體的 V 區（VH 區）完全相同，抗原結合特異性一致。此陳述正確。

*(C) B 細胞可先合成 IgM 後，經類別轉換成 IgA

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