當X光管與底片距離（ source-to-image receptor distance, SID ）增加時， X光機足跟效應（ heel effect ）的產生會有何改變？

本題觀念：

足跟效應（heel effect，或稱陽極足跟效應，anode heel effect）是 X 光射束強度在陽極端（anode side）較弱、陰極端（cathode side）較強的現象，由 X 光光子在離開陽極材料前被自身吸收所致。SID（source-to-image receptor distance，X 光管與影像接收器距離）的改變對足跟效應的明顯程度有直接影響。

選項分析

(A) 越明顯 錯誤。SID 增加時，足跟效應反而越不明顯（見下方解析）。

(B) 越不明顯 正確。 SID 增加時，足跟效應越不明顯（詳見答案解析）。

(C) 依不同 X 光機機型而改變 錯誤。足跟效應與 SID 的關係是物理原理，不因機型而改變。此選項為干擾選項。

(D) 足跟效應與 SID 無關 錯誤。SID 是影響足跟效應明顯程度的重要因素之一（另外還有陽極角度和照射野大小）。

答案解析

足跟效應的本質是：X 光管陽極靶面以一定角度（anode angle）傾斜，朝陽極方向發出的 X 光需穿越較厚的陽極材料才能射出，因此被吸收較多，強度較低。

SID 增加 → 足跟效應越不明顯的原因：

當 SID 增加時，在相同大小的照射野（field size）下，影像接收器所截取的 X 光射束錐角（cone

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