下列何種離子通道的開啟，最可能會造成抑制性突觸後電位（inhibitory postsynapt ic potential）？

本題觀念：

本題的核心觀念在於神經突觸傳遞（Synaptic Transmission）中的離子通道機制，特別是區分**興奮性突觸後電位（EPSP）與抑制性突觸後電位（IPSP）**的產生原因。

• EPSP (Excitatory Postsynaptic Potential)：通常由陽離子（如 $Na^+$、$Ca^{2+}$）內流引起，導致膜電位去極化（Depolarization），使神經元更容易產生動作電位。
• IPSP (Inhibitory Postsynaptic Potential)：通常由陰離子（如 $Cl^-$）內流或陽離子（如 $K^+$）外流引起，導致膜電位過極化（Hyperpolarization），使神經元較難產生動作電位。

選項分析

• A. AMPA受體（AMPA receptor）：

  • 分析：這是大腦中最主要的興奮性麩胺酸（Glutamate）受體之一。當Glutamate結合後，AMPA受體通道開啟，主要允許 $Na^+$ 內流（與少量 $K^+$ 外流），導致突觸後膜去極化，產生 EPSP。
  • 結論：錯誤。

• B. NMDA受體（NMDA receptor）： *

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