有關神經細胞突觸後電位（postsynpatic potential）的敘述，下列何者正確？

本題觀念

突觸後電位（postsynaptic potential）是突觸後細胞膜受到神經傳遞物質作用後，產生的局部、短暫且具級性的膜電位變化。若膜電位朝較不負的方向移動，稱為興奮性突觸後電位（excitatory postsynaptic potential, EPSP）；若使膜電位遠離動作電位閾值，或增加膜的抑制性導通，則稱為抑制性突觸後電位（inhibitory postsynaptic potential, IPSP）。判斷本題要把離子流動方向、離子平衡電位與「是否一定達到閾值」分開。IPSP 的氯離子（Cl⁻）機制會使膜電位趨近 Cl⁻ 平衡電位，這正是選項 A 的核心。

選項分析

• A 抑制性突觸後電位接近氯離子的平衡電位：正確。開啟 Cl⁻ 通道會提高氯離子導通，使膜電位朝 Cl⁻ 平衡電位移動；這種抑制性作用可降低突觸後細胞達到動作電位閾值的機率。
• B 鈉離子流出會造成興奮性突觸後電位：錯誤。典型 EPSP 是 Na⁺ 等陽離子流入，使膜內變得較不負；Na⁺ 流出會使電位朝相反方向移動，並不符合典型 EPSP 的主要機轉。
• C 只要產生 EPSP 就可引起動作電位：錯誤。EPSP 是局部且具級性的變化，單一 EPSP 未必達到閾值；通常需要多個突觸輸入在時間上或空間上加總，才可能在適當位置引發動作電位。

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