下列何者會導致電位過極化（hyperpolarizing），進而誘發抑制性突觸後電位（inhibitory postsynaptic potential, IPSP）的表現？

本題觀念：

神經化學性突觸中，神經傳導物質接合受體後會開啟特定離子通道，造成突觸後膜發生階梯性電位（graded potential）。

1. 若膜電位向閾值（約 –55 mV）接近 → 去極化（depolarization）→ 興奮性突觸後電位（excitatory postsynaptic potential, EPSP）。
2. 若膜電位比靜止電位（約 –70 mV）更負 → 過極化（hyperpolarization）→ 抑制性突觸後電位（inhibitory postsynaptic potential, IPSP）。

能使膜電位變得更負的典型方式有兩種：

• 讓帶正電的 K⁺ 外流（E_K ≈ –90 mV）。
• 讓帶負電的 Cl⁻ 內流或穩定於 E_Cl（≈ –70 mV 以下）。

開啟這兩類通道均會降低細胞興奮性，呈現 IPSP。

選項分析

A. Cl⁻ channel open；K⁺ channel open ‧ Cl⁻ 內流：將膜電位拉向 E_Cl，使細胞更負。 ‧ K⁺ 外流：將膜電位拉向 E_K，也使細胞更負。 兩者皆產生過極化，是典型 IPSP 機制 → 正確。

B. Na⁺ channel open；K⁺ channel open ‧ Na⁺ 內流：去極化（EPSP）。 ‧ K⁺ 外流：過極化（IPSP）。

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