臨床10 MV射束其SSD增加時，則電子汙染會如何變化？

本題觀念：

在百萬伏特 (Megavoltage, MV) 高能光子射束放射治療中，光子在穿過治療機頭的結構（如射束整平濾波器 flattening filter、準直儀 collimators、托盤 trays 等）以及兩者之間的空氣時，會經由康普頓游離 (Compton scattering) 或成對游離 (pair production) 產生二次電子。這些跟著光子射束到達病患表面的二次電子即為「電子汙染」(Electron Contamination)。電子汙染會增加病患的表面劑量 (surface dose)，進而減弱高能光子射束特有的「表面低劑量效應」(skin-sparing effect)。

選項分析

• (A) 隨機：錯誤。電子汙染的劑量貢獻受到嚴格的物理定律（如反平方定律、散射角分布、空氣衰減等）影響，其隨距離的變化具有明確的物理規律，並非隨機變化。
• (B) 變高：錯誤。若射源至表面距離 (SSD) 縮短（即治療頭距離病患較近），從治療機頭產生的二次電子較容易直接打在病患表面，才會導致電子汙染變高。
• (C) 變低：正確。增加 SSD 時，雖然光子在更長的空氣路徑中會產生極少部分的電子，但構成電子汙染「最大宗」的來源仍是治療機頭內的結構。這些由機頭產生的污染電子具有較大的散射角分佈，當 SSD 增加時，這些低能量電

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